La serie E100 utiliza memoria flash 3D NAND, que puede mejorar eficazmente la eficiencia de lectura / escritura y la seguridad de los datos, proporcionando un servicio de datos estable y rápido del sistema operativo.
Velocidad de Lectura: 560 MB/s.
Velocidad de Escritura: 500 MB/s.
Interfaz SATA3.0, la velocidad de la interfaz es de 6 Gbps.
Hiksemi E100 se desarrolló a través de años de experiencia, investigación y conocimiento en tecnología de almacenamiento y administración de datos de memoria flash.