Producto Descontinuado
Beneficios
- Alto rendimiento: Gracias a su velocidad DDR4-3600 y baja latencia CL16, permite una transferencia de datos rápida y eficiente, ideal para gaming y edición de contenido.
- Compatibilidad XMP 2.0: Facilita la activación de perfiles de alto rendimiento de manera sencilla, optimizando automáticamente voltaje y temporización.
- Estabilidad y durabilidad: Cumple con los estándares JEDEC y UL, soportando temperaturas de operación amplias y ofreciendo confiabilidad a largo plazo.
- Diseño avanzado: Con disipador de calor y arquitectura de 16 bancos, mantiene estabilidad térmica y permite un rendimiento consistente bajo cargas intensas.
Ver descripción del producto
Similares en existencia
Tipo de Memoria RAM
DDR4
RAM
8GB
Peso
0.10 libras
Garantía
SKU
E10E911B1C
- Especificaciones Técnicas:
General:
- Capacidad: 8GB (1G x 64-bit)
- Tipo: DDR4 SDRAM, Synchronous
- Factor de forma: 288-pin DIMM
- Organización: 1Rx8 (un solo rank de 8 chips x 8 bits)
- Altura: 1.80” (45.76 mm) con disipador
- Contactos: Dedos de oro
Velocidad y latencia:
- JEDEC estándar: DDR4-2400 CL17-17-17 @ 1.2V
- XMP Perfil #1: DDR4-3600 CL16-20-20 @ 1.35V
- XMP Perfil #2: DDR4-3000 CL15-17-17 @ 1.35V
Voltajes:
- VDD: 1.2V típica
- VDDQ: 1.2V típica
- VPP: 2.5V típica
- VDDSPD: 2.2V a 3.6V
Temporización y ciclos:
- CL (IDD): 17 ciclos
- tRCmin (Row Cycle Time): 45.75 ns mínimo
- tRFCmin (Refresh to Active/Refresh Command): 350 ns mínimo
- tRASmin (Row Active Time): 32 ns mínimo
Arquitectura y tecnología:
- 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada uno
- Bi-Directional Differential Data Strobe
- 8-bit pre-fetch
- Burst Length (BL) configurable: BL8 o BC4 (Burst Chop)
- On-Die Termination (ODT)
Ayuda
