Producto Descontinuado
Beneficios
- Rendimiento Superior: Velocidades secuenciales de hasta 560 MB/s lectura y 530 MB/s escritura, alcanzando el límite de la interfaz SATA.
- Tecnología TurboWrite Inteligente: Acelera las escrituras y mantiene un alto rendimiento constante gracias a un búfer dinámico más grande.
- Fiabilidad de Clase Industrial: Hasta 2400 TBW y 5 años de garantía limitada, soportando cargas pesadas como edición de vídeo 8K.
- Compatibilidad Ampliada: Probado con chipsets, placas base, NAS y DVR de las principales marcas (Samsung, AMD, MSI, Gigabyte, Synology, QNAP, entre otros).
- Fácil Actualización: Formato estándar de 2.5” SATA, instalación simple en portátiles y PCs, con software de migración renovado.
- Software Samsung Magician 6: Herramientas avanzadas para monitorizar estado, aplicar actualizaciones y optimizar el rendimiento.
Ver descripción del producto
Similares en existencia
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Almacenamiento
1TB
Formato de Disco Duro
2.5"
Peso
1.00 libras
Garantía
SKU
4D99B8378F
– Especificaciones Técnicas:
- Interfaz: SATA 6 Gb/s (compatible con 3 Gb/s y 1,5 Gb/s)
- Factor De Forma: 2,5 pulgadas
- Capacidad: 1000 GB (1 TB) – Capacidad utilizable menor por formato y sistema
- Dimensiones: 100 x 69,85 x 6,8 mm
- Peso: 45 g aprox.
Memoria y Controlador:
- Memoria: Samsung V-NAND MLC de 3 bits
- Controlador: Samsung MKX
- Caché: 1 GB DDR4 SDRAM de bajo consumo
Rendimiento:
- Lectura secuencial: hasta 560 MB/s
- Escritura secuencial: hasta 530 MB/s (con Intelligent TurboWrite)
- Lectura aleatoria (4 KB, QD32): hasta 98 000 IOPS
- Escritura aleatoria (4 KB, QD32): hasta 88 000 IOPS
- Lectura aleatoria (4 KB, QD1): hasta 13 000 IOPS
- Escritura aleatoria (4 KB, QD1): hasta 36 000 IOPS
Funciones Especiales:
- Compatible con TRIM y SMART
- Algoritmo de recolección automática de basura (GC)
- Cifrado AES de 256 bits (Clase 0), TCG/Opal, IEEE1667 (unidad cifrada)
- Compatible con nombre mundial (WWN)
- Soporte para modo de suspensión del dispositivo
Confiabilidad y Energía:
- Consumo de energía promedio: 2,5 W / Máx. 4,0 W (burst)
- Consumo en reposo: máx. 30 mW
- Voltaje: 5 V ± 5 %
- MTBF: 1,5 millones de horas
- Resistencia: 600 TBW
- Temperatura de operación: 0 °C a 70 °C
- Resistencia a choques: 1500 G, 0,5 ms (medio seno)
Detalles
Ayuda
